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DI035P04PT
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark16AM8184
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.768 |
| 10+ | $0.641 |
| 25+ | $0.576 |
| 50+ | $0.520 |
| 100+ | $0.457 |
| 250+ | $0.410 |
| 500+ | $0.341 |
| 1000+ | $0.330 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI035P04PTCopiar
No. Parte Newark16AM8184
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia30
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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