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DI035P02PT
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, QFN
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.974 |
| 10+ | $0.813 |
| 25+ | $0.731 |
| 50+ | $0.660 |
| 100+ | $0.579 |
| 250+ | $0.520 |
| 500+ | $0.432 |
| 1000+ | $0.418 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI035P02PTCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark27AM3424
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3900µohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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