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DI035N10PT-AQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark16AM8183
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.892 |
| 10+ | $0.745 |
| 25+ | $0.669 |
| 50+ | $0.604 |
| 100+ | $0.531 |
| 250+ | $0.477 |
| 500+ | $0.396 |
| 1000+ | $0.383 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI035N10PT-AQCopiar
No. Parte Newark16AM8183
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia25
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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