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DI028P03PT
POWER MOSFET, P-CH, 11.7A, MLPAK33
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark09AN3722
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.944 |
| 100+ | $0.759 |
| 500+ | $0.688 |
| 1000+ | $0.618 |
| 2500+ | $0.530 |
| 10000+ | $0.517 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI028P03PTCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark09AN3722
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id11.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorMLPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia4.2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.7A
Diseño de Transistor
MLPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
4.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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