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DI008N09SQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.741 |
| 10+ | $0.620 |
| 25+ | $0.558 |
| 50+ | $0.505 |
| 100+ | $0.444 |
| 250+ | $0.400 |
| 500+ | $0.334 |
| 1000+ | $0.323 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI008N09SQ
No. Parte Newark16AM8172
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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