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DI005C04PTK-AQ
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI005C04PTK-AQ
No. Parte Newark16AM8169
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.566 |
| 10+ | $0.473 |
| 25+ | $0.426 |
| 50+ | $0.385 |
| 100+ | $0.339 |
| 250+ | $0.305 |
| 500+ | $0.254 |
| 1000+ | $0.246 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.83
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI005C04PTK-AQ
No. Parte Newark16AM8169
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.035
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorQFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N11.3
Disipación de Potencia de Canal P11.3
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
11.3
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.035
Diseño de Transistor
QFN
Disipación de Potencia de Canal N
11.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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