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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteMMFTP2319Copiar
No. Parte Newark29AM9106
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.431 |
| 10+ | $0.338 |
| 25+ | $0.286 |
| 50+ | $0.245 |
| 100+ | $0.210 |
| 250+ | $0.183 |
| 500+ | $0.155 |
| 1000+ | $0.136 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteMMFTP2319Copiar
No. Parte Newark29AM9106
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id4.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia750mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.2A
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
750mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
