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DIJ4A5N65
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, ITO-220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark27AM3421
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.782 |
| 10+ | $0.684 |
| 100+ | $0.548 |
| 500+ | $0.496 |
| 1000+ | $0.446 |
| 2500+ | $0.379 |
| 10000+ | $0.371 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIJ4A5N65Copiar
No. Parte Newark27AM3421
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3ohm
Diseño de TransistorITO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia46W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Diseño de Transistor
ITO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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