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DI056N10D2
MOSFET, N-CH, 100V, 56A, TO-263AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI056N10D2Copiar
No. Parte Newark11AN2654
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 10+ | $1.850 |
| 25+ | $1.690 |
| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.340 |
| 250+ | $1.210 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $1.050 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.11
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI056N10D2Copiar
No. Parte Newark11AN2654
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095ohm
Diseño de TransistorTO-263AB (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia57.6W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (05-Nov-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Diseño de Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (05-Nov-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (05-Nov-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto