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XP3P7R0EM
MOSFET, P-CH, 30V, 15.5A, SOIC
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FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3P7R0EM
No. Parte Newark70AK6979
Rango de ProductoXP3P7R0E Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
2,380 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.020 |
| 10+ | $0.839 |
| 25+ | $0.748 |
| 50+ | $0.669 |
| 100+ | $0.580 |
| 250+ | $0.515 |
| 500+ | $0.417 |
| 1000+ | $0.402 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.02
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3P7R0EM
No. Parte Newark70AK6979
Rango de ProductoXP3P7R0E Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id15.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7000µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoXP3P7R0E Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
15.5
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7000µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
XP3P7R0E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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