AUIRF8739L2TR

El AUIRF8739L2TR es un MOSFET de potencia HEXFET® para automóviles. Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son valiosas. La avanzada plataforma de empaque DirectFET® junto con la última tecnología de silicio permite que el AUIRF8739L2 ofrezca ahorros sustanciales a nivel del sistema y mejoras en el rendimiento específicamente en accionamiento de motor, CD-CD y otras aplicaciones de carga pesada en plataformas ICE, HEV y EV. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia ultrabaja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET son una temperatura de unión operativa de 175 °C y una alta capacidad de corriente máxima repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones automotrices de alta corriente.

• Tecnología de proceso avanzada
• Optimizado para accionamiento de motores automotrices, CD-CD y otras aplicaciones de carga pesada
• Huella excepcionalmente pequeña y perfil bajo
• Alta densidad de potencia, bajos parámetros parásitos, refrigeración de doble cara
• Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
• Paquete DirectFET®
• El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de 40V a VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25 °C
• La resistencia estática de drenaje a fuente es de 0.35mohm tipo a VGS = 10V, ID = 195A
• Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175 °C
• La corriente de fuga de drenaje a fuente es de 1.0µA a VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 25 °C