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SI4153DY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 19.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4153DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6287
Re-reeling (Rollos a medida)26AK3559
Cinta adhesiva26AK3559
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Su número de pieza
1,709 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.290 | $6.45 |
| Total Precio | $6.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.808 |
| 25+ | $0.716 |
| 50+ | $0.623 |
| 100+ | $0.531 |
| 250+ | $0.472 |
| 500+ | $0.412 |
| 1000+ | $0.374 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.319 |
| 5000+ | $0.306 |
| 10000+ | $0.293 |
| 15000+ | $0.278 |
| 25000+ | $0.261 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4153DY-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6287
Re-reeling (Rollos a medida)26AK3559
Cinta adhesiva26AK3559
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id19.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9500
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia5.6
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9500
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5.6
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
19.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4153DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto