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FDS8858CZ
Dual MOSFET, N and P Channel, 8.6 A, 30 V, 17 mohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8858CZ
No. Parte Newark61M6333
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8858CZ
No. Parte Newark61M6333
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.017ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.017ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.017ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8858CZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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