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IXFN230N20T
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN230N20TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark03AH0733
Rango de ProductoGigaMOS Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 30 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 300+ | $28.530 |
| 600+ | $27.960 |
| 900+ | $27.390 |
| 1500+ | $26.820 |
| 3000+ | $26.250 |
| 7500+ | $25.880 |
| 15000+ | $25.870 |
Precio para:Cada
Mínimo: 300
Múltiple: 300
$8,559.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN230N20TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark03AH0733
Rango de ProductoGigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id220A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Resistencia de Activación Rds(on)0.0075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd1.09kW
Disipación de Potencia1.09kW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoGigaMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Diodo intrínseco rápido con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N. Es adecuado para su uso en rectificación síncrona, convertidores CD-CD, cargadores de baterías, fuentes de alimentación conmutadas y resonantes, choppers de CD, variadores de frecuencia para motores de CA, fuentes de alimentación ininterrumpida, aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
- MOSFET de potencia GigaMOS™
- miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio
- Voltaje de aislamiento 2500V
- Capacidad de manejo de alta corriente
- Bajo RDS(on)
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0075ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.09kW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
1.09kW
Rango de Producto
GigaMOS Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXFN230N20T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
