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de 1 a 725 MHz, de ±10 a ±50 ppm, de -55 a +125 °C LVCMOS, diferencial, AEC-Q100, VCXO, programabilidad I2C/SPI, reducción de EMI

de ±0,05 a ±2,5 ppm, de 1 a 220 MHz, +105 °C, mejor rendimiento dinámico en condiciones hostiles, 1 ppb/°C (dF/dT)

32.768 kHz, de ±3 a 75 ppm, CSP de 1.2 mm2, sustitución de XTAL, corriente de alimentación <1 µA, controla varias cargas

de ±5 a ±8 ppb, de 1 a 60 MHz, +85 °C, mejor rendimiento dinámico en condiciones hostiles, pendiente de frecuencia de 40 ppt/°C (dF/dT)

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