HMC531LP5E

El HMC531LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta salidas de media frecuencia y divididas por 4. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +18dBm típica de un voltaje de suministro de +5V. La aplicación típica incluye MMIC VCO de bajo ruido con amplificador de búfer para radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar.

• No se necesita resonador externo
• Rango de frecuencia de 13.6 a 14.9 GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La potencia de salida es de 14dBm (RFOUT, TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• Ruido de fase SSB a 100KHz de compensación, Vtune= +5V en RFOUT es -110dBc/Hz (típico, TA = +25°C)
• Rango de voltaje de sintonía de 2 a 13V (Vtune, TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La corriente de suministro (Icc) (Vcc = +3V) es de 260mA (Icc1 e Icc2, típ., T = +25 °C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonización (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25 °C, Vcc1, Vcc2 = +5 V)
• La pérdida de retorno de salida es de 8dB (típico, TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 1.2MHz/°C (típico, TA = +25 °C, Vcc1, Vcc2 = +5 V)
• Paquete QFN de 32 derivaciones, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

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