HMC529LP5E

El HMC529LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este dispositivo integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta salidas de media frecuencia y divididas por 4. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +8dBm típica de un voltaje de suministro de +5V. La potencia de salida es de +18dBm típica de un voltaje de suministro de +5V. Es ampliamente utilizado en aplicaciones tales como radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar, etc.

• El ruido de fase es -110dBc/Hz típico a (100KHz)
• El voltaje de sintonización es de 2V a 13V
• La corriente de suministro es de 260mA típica a (TA = +25 °C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 8dB típica a (TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La tasa de desviación de frecuencia es de 1.2MHz/°C típica a (TA = +25 °C, Vcc1, Vcc2 = +5 V)
• No se necesita resonador externo
• La salida dual es Fo = 12.4GHz a 13.4GHz, Fo/2 = 6.2GHz a 6.7GHz
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es SMT de 32 terminales

Notas

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