ADG1213YRUZ-REEL7

El ADG1213 es un dispositivo semiconductor complementario de óxido de metal (CMOS) monolítico que contiene cuatro interruptores seleccionables de forma independiente diseñados en un proceso iCMOS® (CMOS industrial). Permite el desarrollo de una amplia gama de circuitos integrados analógicos de alto rendimiento capaces de operar a 33V en un espacio que ninguna generación anterior de dispositivos de alto voltaje ha podido lograr. A diferencia de los circuitos integrados analógicos que utilizan procesos CMOS convencionales, los componentes iCMOS pueden tolerar altos voltajes de suministro al tiempo que brindan un mayor rendimiento, un consumo de energía significativamente menor y un tamaño de paquete reducido. Su construcción garantiza una disipación de energía ultrabaja, lo que hace que los dispositivos sean ideales para instrumentos portátiles y alimentados por batería. Las aplicaciones típicas son equipos de prueba automáticos, sistemas de adquisición de datos, sistemas alimentados por baterías, sistemas de muestreo y retención, enrutamiento de señales de audio, enrutamiento de señales de video, sistemas de comunicación.

• No se requiere suministro de VL, entradas compatibles con lógica de 3V, operación de riel a riel
• El consumo de energía típico es <lt/> 0.03µW
• Capacitancia ultrabaja, inyección de carga <lt/>1pC
• La resistencia (RON) es de 120 ohms tipo (VS=±10V, IS=−1mA, 25°C, VDD=15V ± 10%, VSS=−15V ± 10%, GND=0V)
• La capacitancia de entrada digital es de 2.5pF típ. (25°C, VDD=15V ±10%, VSS=−15V ± 10%, GND=0V)
• La distorsión armónica total + el ruido es del 0.15% típico (RL=10Kohm, 5V rms, f=20Hz a 20KHz, 25°C)
• El ancho de banda (-3dB) es de 1000MHz típ. (RL=50 ohm, CL=5pF, 25°C, VDD=15V ± 10%, VSS=−15V ± 10%, GND=0V)
• Paquete de contorno pequeño retráctil delgado [TSSOP]
• Rango de temperatura nominal de -40°C a +125°C

Notas

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