ADG1211YCPZ-REEL7

El ADG1211 es un dispositivo semiconductor complementario de óxido de metal (CMOS) monolítico que contiene cuatro interruptores seleccionables de forma independiente diseñados en un proceso iCMOS® (CMOS industrial). iCMOS es un proceso de fabricación modular que combina CMOS de alto voltaje y tecnologías bipolares. A diferencia de los circuitos integrados Analógica que utilizan procesos CMOS convencionales, los componentes iCMOS pueden tolerar altos voltajes de suministro al tiempo que brindan un mayor rendimiento, un consumo de energía significativamente menor y un tamaño de paquete reducido. La construcción iCMOS garantiza una disipación de energía ultrabaja, lo que hace que los dispositivos sean ideales para instrumentos portátiles y alimentados por batería. Es ampliamente utilizado en aplicaciones tales como equipos de prueba automáticos, sistemas de adquisición de datos, sistemas alimentados por batería, sistemas de muestreo y retención, enrutamiento de señales de audio, enrutamiento de señales de video, sistemas de comunicación, etc.

• 1pF de capacitancia, operación de riel a riel
• Capacitancia de 2.6pF
• <lt/>1pC Inyección de carga
• Resistencia de 120 ohms, el rango de tensión de alimentación es de 33V
• No se requiere suministro de VL, totalmente especificado a ±15V, +12V
• Entradas compatibles con lógica de 3V
• El consumo de energía típico es <lt/> 0.03µW
• La distorsión armónica total + el ruido es 0.15% típico en (RL = 10Kohm, 5V rms, f = 20Hz a 20kHz)
• Temperatura de funcionamiento desde -40°C hasta +125°C
• El estilo de empaquetado es paquete de escala de chip de marco principal [LFCSP]

Notas

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