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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.610 |
Información del producto
Resumen del producto
La memoria SDRAM DDR AS4C32M16D1A-5TCN de 512Mb es una memoria DRAM síncrona CMOS de doble velocidad y alta velocidad que contiene 512Mbits. Está configurado internamente como una DRAM cuádruple de 8M x 16 con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CK). Las señales de salida de datos se producen tanto en los flancos ascendentes de la CK como en la CK activa baja. Los accesos de lectura y escritura a SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Las funciones de actualización, ya sea automática o autoactualización, son fáciles de usar. Gracias a su registro de modo programable y su registro de modo extendido, el sistema puede seleccionar los modos más adecuados para maximizar su rendimiento. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria, lo que lo convierte en un dispositivo especialmente idóneo para aplicaciones de memoria principal y gráficos de alto rendimiento.
- Frecuencia de reloj rápida: 200MHz, reloj diferencial CK y CK activo bajo
- DQS bidireccional, activación/desactivación de DLL mediante EMRS, interfaz de E/S SSTL-2.
- Funcionamiento totalmente sincrónico, arquitectura de canalización interna
- Cuatro bancos internos, 8M x 16 bits por banco, precarga y apagado activo
- Registros de modo programable y modo extendido, latencia CAS: 2, 2.5, 3
- Duración de la ráfaga: 2, 4, 8, tipo de ráfaga: secuencial e intercalado
- Control individual de máscara de escritura de bytes, 8192 ciclos de actualización/64ms.
- Latencia de escritura DM = 0; actualización automática y autoactualización.
- Fuentes de alimentación: VDD y VDDQ = 2.5V ± 0.2V, velocidad de datos de 400Mbps/pin
- Encapsulado TSOP II de 66 pines, rango de temperatura comercial de 0 a 70 °C.
Especificaciones técnicas
DDR1
32M x 16bit
TSOP-II
2.5
0
-
No SVHC (27-Jun-2024)
512
200
66Pines
Surface Mount
70
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
