AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN es una memoria RAM dinámica móvil de 256 Mb y 268.435.456 bits con doble velocidad de datos síncrona. Cada banco de 67.108.864 bits está organizado en 8.192 filas, 512 columnas y 16 bits, y se fabrica con la tecnología CMOS de alto rendimiento de Alliance Memory. Este dispositivo utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento a alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es esencialmente una arquitectura de precarga de 2n, con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en las bolas de E/S. El rango de frecuencias de funcionamiento, las longitudes de ráfaga programables y las latencias programables permiten que este mismo dispositivo sea útil para diversas aplicaciones de sistemas de memoria de alto ancho de banda y alto rendimiento.

• VDD/VDDQ = 1.7 a 1.95V, ancho de datos: x16, bidireccional, estroboscopio de datos (DQS).
• Autorrefresco parcial de la matriz (PASR), autorrefresco con compensación automática de temperatura (ATCSR).
• Modo de bajo consumo, modo de bajo consumo profundo (modo DPD), potencia del controlador del búfer de salida programable.
• Cuatro bancos internos para operación concurrente, máscara de datos (DM) para escritura de datos
• Capacidad de paro del reloj durante los períodos de inactividad, opción de precarga automática para cada acceso en ráfaga.
• Doble velocidad de datos para salida de datos; entradas de reloj diferenciales (CK y CK activo bajo).
• Duración de la ráfaga: 2, 4, 8 y 16, tipo de ráfaga: secuencial o intercalado
• Periodo de actualización de 64ms, interfaz LVCMOS, frecuencia de reloj de 166MHz.
• Paquete FPBGA de 60 bolas
• Rango de temperatura extendido de -30°C a +85°C