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SIZF928DT-T1-GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 248A, 150DEG C ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF928DT-T1-GE3
Código Newark50AJ6064
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.020 |
| 10+ | $ 1.950 |
| 25+ | $ 1.740 |
| 50+ | $ 1.550 |
| 100+ | $ 1.340 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.080 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.02
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF928DT-T1-GE3
Código Newark50AJ6064
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id248A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel248A
Continuous Drain Current Id P Channel248A
Drain Source On State Resistance N Channel530µohm
Drain Source On State Resistance P Channel530µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel74W
Power Dissipation P Channel74W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
248A
Drain Source On State Resistance P Channel
530µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
74W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
248A
Continuous Drain Current Id N Channel
248A
Drain Source On State Resistance N Channel
530µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos