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SIZF660LDT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 110A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF660LDT-T1-GE3
Código Newark22AM2337
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.390 |
| 10+ | $ 3.190 |
| 25+ | $ 3.000 |
| 50+ | $ 2.750 |
| 100+ | $ 2.480 |
| 250+ | $ 2.160 |
| 500+ | $ 1.660 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.39
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF660LDT-T1-GE3
Código Newark22AM2337
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel110A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR 6 x 5FS
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel62.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
110A
Drain Source On State Resistance N Channel
2600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR 6 x 5FS
Power Dissipation N Channel
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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