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SIZF640DT-T1-GE3
MOSFET,DUAL, N-CH, 40V, 159A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF640DT-T1-GE3
Código Newark42AK5555
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.480 |
| 10+ | $ 2.960 |
| 25+ | $ 2.670 |
| 50+ | $ 2.370 |
| 100+ | $ 2.080 |
| 250+ | $ 1.920 |
| 500+ | $ 1.750 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.48
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZF640DT-T1-GE3
Código Newark42AK5555
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id159A
Continuous Drain Current Id N Channel159A
Continuous Drain Current Id P Channel159A
Drain Source On State Resistance N Channel1000µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1000µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel62.5W
Power Dissipation P Channel62.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
159A
Continuous Drain Current Id P Channel
159A
Drain Source On State Resistance P Channel
1000µohm
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
62.5W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
159A
Drain Source On State Resistance N Channel
1000µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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