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SEMIX352GB128DS
IGBT Module, Dual, 377 A, 2.35 V, 150 °C, SEMiX 2
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX352GB128DS
Código Newark16M0113
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
Continuous Collector Current377A
DC Collector Current377A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.35V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.15V
Transistor Case StyleSEMiX 2
No. of Pins16Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyTrench
Collector Emitter Voltage Max1.15V
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
377A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.15V
No. of Pins
16Pins
IGBT Technology
Trench
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
377A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.35V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SEMiX 2
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.15V
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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