Imprimir página
No está disponible
Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0045170P
No. Parte Newark61AC7502
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id72A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTO-247 Plus
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd520W
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia520W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
520W
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
72A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
TO-247 Plus
Disipación de Potencia Pd
520W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65