SIZF4412DT-T1-GE3

MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 77.1A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES

Fecha y lote

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VISHAY SIZF4412DT-T1-GE3
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4412DT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2335
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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Información del producto

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4412DT-T1-GE3
No. Parte Newark22AM2335
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N77.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente5300µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR 3 x 3FS
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N56.8W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

Dual N Channel

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P

-

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P

-

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente

-

No. de Pines

12Pines

Disipación de Potencia de Canal P

-

Rango de Producto

TrenchFET Gen IV Series

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (07-Nov-2024)

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N

40V

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N

77.1A

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente

5300µohm

Diseño de Transistor

PowerPAIR 3 x 3FS

Disipación de Potencia de Canal N

56.8W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

-

Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidad del producto

Trazabilidad del producto

Fecha y lote