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BPW85A
Fototransistor, 850 nm, 25°, 100 mW, 2 Pines, T-1 (3mm)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.590 |
| 10+ | $0.402 |
| 25+ | $0.373 |
| 50+ | $0.343 |
| 100+ | $0.314 |
| 500+ | $0.284 |
| 1000+ | $0.263 |
| 2500+ | $0.262 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW85A
No. Parte Newark60AC7964
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.850
Ángulo de Visión50
Consumo de Potencia100
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorT-1 (3mm)
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
- Fototransistor NPN de silicio con plomo en un paquete de plástico transparente T-1
- Alta fotosensibilidad y alta sensibilidad radiante
- Adecuado para radiación infrarroja visible y cercana
- Tiempos de respuesta rápidos
- Ángulo de media sensibilidad: ϕ = ±25°
- Corriente de luz máxima del colector de 2.5mA en Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
850
Consumo de Potencia
100
Diseño de Transistor
T-1 (3mm)
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
50
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BPW85A
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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