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STQ1NK80ZR-AP
Power MOSFET, N Channel, 300 mA, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTQ1NK80ZR-AP
No. Parte Newark01X0057
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.991 |
| 10+ | $0.786 |
| 100+ | $0.539 |
| 500+ | $0.464 |
| 1000+ | $0.403 |
| 4000+ | $0.331 |
| 10000+ | $0.315 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTQ1NK80ZR-AP
No. Parte Newark01X0057
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente16ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia3W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
16ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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