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STP26NM60N
MOSFET, N-CH, 600V, 10A, 150DEG C, 140W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP26NM60N
No. Parte Newark26R7055
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $3.310 |
| 25+ | $3.270 |
| 50+ | $3.230 |
| 100+ | $2.920 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP26NM60N
No. Parte Newark26R7055
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.135
Resistencia de Activación Rds(on)0.135ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.135
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0.135ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP26NM60N
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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