Imprimir página
BD677
TRANSISTOR, NPN, 60V, 4A, SOT-32
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
3,439 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.493 |
| 10+ | $0.293 |
| 100+ | $0.273 |
| 500+ | $0.237 |
| 1000+ | $0.227 |
| 2500+ | $0.215 |
| 10000+ | $0.203 |
| 25000+ | $0.197 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.46
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD677
No. Parte Newark24M0736
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd40
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC4
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE750
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BD677 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE
750
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60
Disipación de Potencia Pd
40
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
4
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BD677
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto