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RW4E045ATTCL1
MOSFET, P-CH, 30V, 4.5A, DFN1616 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.280 |
| 10+ | $0.780 |
| 25+ | $0.715 |
| 50+ | $0.651 |
| 100+ | $0.586 |
| 250+ | $0.531 |
| 600+ | $0.476 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRW4E045ATTCL1
No. Parte Newark91AH8989
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.048ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN1616
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.048ohm
Diseño de Transistor
DFN1616
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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