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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE802G
No. Parte Newark26K4472
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia40W
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-225
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
El MJE802G es un transistor Darlington de potencia bipolar 4A NPN diseñado para amplificador de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad.
- Dispositivo complementario
- Construcción monolítica con resistencias de emisor base incorporadas para limitar la multiplicación de fugas.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
4A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
40W
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
