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FDS3692
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.656 |
| 5000+ | $0.639 |
| 10000+ | $0.626 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,640.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS3692
No. Parte Newark28H9711
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDS3692 es un MOSFET de canal N UltraFET comercial discreto producido mediante el proceso PowerTrench®. Es adecuado para convertidores de CD a CD y UPS fuera de línea, arquitecturas de energía distribuida y VRM, interruptor primario para sistemas de 24 y 48 V, rectificador síncrono de alto voltaje, sistemas de trenes de válvulas electrónicas y sistemas de inyección directa/inyección diesel.
- Baja carga de molinero
- Diodo de cuerpo QRR bajo
- Eficiencia optimizada a altas frecuencias.
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
- Anteriormente tipo de desarrollo 82745
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS3692
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto