Imprimir página
FDC654P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 3.6 A, 0.063 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.550 |
| 10+ | $0.352 |
| 25+ | $0.324 |
| 50+ | $0.295 |
| 100+ | $0.267 |
| 250+ | $0.246 |
| 500+ | $0.225 |
| 1000+ | $0.201 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.75
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC654P
No. Parte Newark31Y1349
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.063ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC654P es un MOSFET de canal P único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía de la batería, interruptor de carga y protección de la batería.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Carga de puerta baja típica de 6.2nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.063ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDC654P
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto