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FDC638APZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.252 |
| 6000+ | $0.251 |
| 12000+ | $0.244 |
| 18000+ | $0.243 |
| 30000+ | $0.242 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$756.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC638APZ
No. Parte Newark52M3150
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.037ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.043
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC638APZ es un MOSFET de canal P especificado de 2.5V producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para aplicaciones de energía de batería, conmutación de carga, circuitos de carga de batería y conversión de CD a CD.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Carga de puerta baja típica de 8nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.037ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.043
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC638APZ
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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