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D45H8G
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, PNP, 60 V, 40 MHz, 2 W, -10 A, 60 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteD45H8G
No. Parte Newark38K1069
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia70W
Diseño de TransistorTO-220
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
10A
Disipación de Potencia
70W
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
40MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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