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BSS123L
MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 0.17A, SOT-23-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123L
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84Y9816
Cinta adhesiva84Y9816
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.251 | $0.25 |
| Total Precio | $0.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.251 |
| 25+ | $0.150 |
| 50+ | $0.125 |
| 100+ | $0.100 |
| 250+ | $0.091 |
| 500+ | $0.081 |
| 1000+ | $0.073 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123L
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84Y9816
Cinta adhesiva84Y9816
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia de Activación Rds(on)2.98ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.405V
Disipación de Potencia360mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSS123L
7 productos encontrados
Resumen del producto
The BSS123L is produced using high cell density trench MOSFET technology. This minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. The BSS123L is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor controller, power MOSFET gate drivers, logic level transistorss, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
- High density cell design for low on-resistance
- Rugged and reliable
- Very low capacitance
- Fast switching speed
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
2.98ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.405V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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