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NTLJS4114NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 7.8 A, 35 mohm, WDFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.542 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,626.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTLJS4114NT1G
No. Parte Newark10N9582
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.0203ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd3.3W
Diseño de TransistorWDFN
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0203ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
WDFN
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTLJS4114NT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65