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BF992,215
Transistor FET RF, 20 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143B
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBF992,215
No. Parte Newark70R2658
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id40
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd200mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorSOT-143B
Encapsulado de Transistor RFSOT-143B
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Disipación de Potencia
200
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SOT-143B
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Intensidad Drenador Continua Id
40
Disipación de Potencia Pd
200mW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
Encapsulado de Transistor RF
SOT-143B
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto