Mejore sus aplicaciones de energía
Amplia cartera de energía y nuevos productos líderes en la industria
Nexperia es un jugador líder en la industria de los semiconductores, reconocido por su calidad y confiabilidad en componentes discretos, alimentación y circuitos integrados lógicos. Comprometido con la innovación, Nexperia está ampliando de manera rápida su cartera de productos, especialmente en MOSFET de potencia, semiconductores de banda ancha, IGBT y circuitos integrados analógicos y de gestión de la energía. Cada año, se agregan más de 800 tipos nuevos. Solo en el 2024, se han lanzado más de 70 piezas nuevas en gestión analógica y de la energía.
Las importantes inversiones de Nexperia en fabricación, como la inversión de USD 200 millones en tecnología SiC y GaN en la fábrica de Hamburgo, ponen de manifiesto el compromiso de avanzar en las capacidades de producción y satisfacer las demandas futuras. Con sede en los Países Bajos, Nexperia cuenta con una rica historia europea de más de 60 años. Con más de 12 500 empleados en Europa, Asia y los Estados Unidos, y más de 100 000 millones de productos enviados anualmente, Nexperia tiene una fuerte presencia mundial, lo que garantiza un soporte y una gestión de la cadena de suministro de gran robustez.
Productos destacados
MOSFET de potencia
MOSFET de potencia de calidad industrial, MOSFET de potencia homologados para automoción, MOSFET de pequeña señal y MOSFET para aplicaciones específicas de 20 V a 100 V. Excelente rendimiento de conmutación y resistencia en paquetes de clips de cobre (LFPAK, CCPAK) y paquetes de microconductores (MLPAK)
IGBT
Los discretos IGBT de 650 V de las series H (alta velocidad) y M (accionamiento de motor) ofrecen una gran confiabilidad de resistencia y una densidad de potencia de inversor mejorada para aplicaciones industriales con voltaje medio y alto
Diodos de SiC
Ofrezca un apagado capacitivo independiente de la temperatura y un comportamiento de conmutación de recuperación cero, combinado con una figura de mérito sobresaliente (Qc x VF). El diodo Schottky PiN combinado mejora la robustez expresada en una alta IFSM.
MOSFET de SiC
Excelente estabilidad de temperatura RDSon, rápida velocidad de conmutación y alta resistencia al cortocircuito para aplicaciones industriales de alta potencia y alto voltaje.
FET de modo e/cascodo GaN
FET de GaN de modo electrónico de bajo voltaje, FET de GaN de modo electrónico de 650 V, FET de GaN bidireccionales y FET de GaN de cascodo de 650 V. Para mejorar la densidad de potencia mediante la reducción de las pérdidas de conducción y conmutación en aplicaciones de conversión de baja o alta potencia.
Administración de energía
Eficiencia y solidez del sistema gracias a una cartera en rápido crecimiento de CI de controlador de CA/CC, CI de controlador LED, convertidores de CC-CC, fusibles electrónicos, controladores de puerta, reguladores LDO e interruptores de carga, entre otros.
Aislamiento
Los aisladores digitales y los transformadores son necesarios para aislar las comunicaciones digitales y las fuentes de alimentación en aplicaciones de alto voltaje para garantizar un funcionamiento seguro.
Rectificadores de potencia
Proporcione densidad de potencia al mismo tiempo que minimiza el tiempo de recuperación inversa y la pérdida para una conmutación eficiente. Alojado en un paquete de CFP de clip de cobre calificado para automóviles con el fin de ahorrar espacio.
Aplicaciones/mercados
Potencia y energía
Movilidad
Automatización y fabricación
