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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F4G08ABBDAH4-IT:D
No. Parte Newark80AH7789
Rango de Producto1.8V Parallel NAND Flash Memories
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F4G08ABBDAH4-IT:D
No. Parte Newark80AH7789
Rango de Producto1.8V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNAND SLC
Densidad de Memoria4
Tamaño de la Memoria4Gbit
Configuración Memoria Flash512M x 8bit
Configuración de Memoria512M x 8bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Memoria, TipoVFBGA
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines63Pines
Frecuencia Max de Reloj50
Frecuencia de Reloj50MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.1.95
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto1.8V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NAND SLC
Tamaño de la Memoria
4Gbit
Configuración de Memoria
512M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Frecuencia Max de Reloj
50
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
1.95
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
4
Configuración Memoria Flash
512M x 8bit
Interfaces
Paralelo
Memoria, Tipo
VFBGA
No. de Pines
63Pines
Frecuencia de Reloj
50MHz
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Parallel NAND Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
