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S29GL128S10DHIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 128 Mbit, 8M x 16bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10DHIV10
No. Parte Newark86AK7849
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.370 |
| 10+ | $5.980 |
| 25+ | $5.810 |
| 50+ | $5.370 |
| 100+ | $4.900 |
| 250+ | $4.770 |
| 500+ | $4.680 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL128S10DHIV10
No. Parte Newark86AK7849
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria128
Configuración de Memoria8M x 16bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso100
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL128S10DHIV10 es un producto de memoria flash MIRRORBIT™ Eclipse fabricado con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90
- tiempo de acceso aleatorio de 100ns
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, tecnología MIRRORBIT™ Eclipse de 65nm.
- Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
- Bus de datos ×16, lectura de página asincrónica de 32 bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes
- Comprobación y corrección automática de errores: ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit.
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
- Paquete de matriz de rejilla de bolas reforzada (LAE064), rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
8M x 16bit
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Densidad de Memoria
128
Interfaces
Parallel
No. de Pines
64Pines
Tiempo de Acceso
100
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto