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IRFB7434PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 195 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7434PBF
No. Parte Newark53W9268
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia294W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFB7434PBF
3 productos encontrados
Resumen del producto
The IRFB7434PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1600µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
294W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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