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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPU80R900P7AKMA1
No. Parte Newark24AC9066
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio |
---|---|
1+ | $1.390 |
10+ | $1.190 |
100+ | $0.772 |
500+ | $0.740 |
1000+ | $0.711 |
3000+ | $0.686 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPU80R900P7AKMA1
No. Parte Newark24AC9066
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.77ohm
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-251
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.77ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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