Imprimir página
IPT008N06NM5LFATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, HSOF-8 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT008N06NM5LFATMA1
No. Parte Newark90AJ6116
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.870 |
| 10+ | $6.440 |
| 25+ | $6.030 |
| 50+ | $5.620 |
| 100+ | $5.210 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.87
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT008N06NM5LFATMA1
No. Parte Newark90AJ6116
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id454A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente670µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia278W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
670µohm
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
278W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
454A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto