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GS66516BMRXUSA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $36.170 |
| 10+ | $33.890 |
| 25+ | $31.160 |
| 50+ | $28.980 |
| 100+ | $26.560 |
| 250+ | $24.920 |
| 500+ | $23.660 |
| 1000+ | $22.240 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteGS66516BMRXUSA1
No. Parte Newark42AM5366
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032
Carga de Compuerta Típica14.2
Diseño de TransistorGaNPX
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines6Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032
Diseño de Transistor
GaNPX
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
60
Carga de Compuerta Típica
14.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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