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BFP183WH6327XTSA1
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.317 |
| 10+ | $0.227 |
| 25+ | $0.205 |
| 50+ | $0.193 |
| 100+ | $0.181 |
| 250+ | $0.169 |
| 500+ | $0.162 |
| 1000+ | $0.157 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP183WH6327XTSA1
No. Parte Newark13AC8236
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor12V
Frecuencia de Transición8GHz
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia450mW
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua65mA
Diseño de TransistorSOT-343
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70hFE
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12V
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Diseño de Transistor
SOT-343
No. de Pines
4Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Frecuencia de Transición
8GHz
Disipación de Potencia
450mW
Corriente del Colector Continua
65mA
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70hFE
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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