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DMN2320UFB4-7B
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, X2-DFN1006 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2320UFB4-7B
No. Parte Newark28AK8515
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.480 |
| 10+ | $0.384 |
| 25+ | $0.343 |
| 50+ | $0.302 |
| 100+ | $0.261 |
| 250+ | $0.243 |
| 500+ | $0.224 |
| 1000+ | $0.192 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2320UFB4-7B
No. Parte Newark28AK8515
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.32ohm
Diseño de TransistorX2-DFN1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia520mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X2-DFN1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.32ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia
520mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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