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DMN10H220LFDF-7
MOSFET, N-CH, 100V, 2.2A, U-DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H220LFDF-7
No. Parte Newark12AJ7102
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.503 |
| 10+ | $0.323 |
| 25+ | $0.283 |
| 50+ | $0.244 |
| 100+ | $0.204 |
| 250+ | $0.188 |
| 500+ | $0.171 |
| 1000+ | $0.160 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H220LFDF-7
No. Parte Newark12AJ7102
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.174ohm
Diseño de TransistorU-DFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
U-DFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.174ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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